Maxpower公司曾军博士到功率半导体研究所进行技术指导

发布日期:2018-04-18 信息来源:联研院本部
        416日,Maxpower公司曾军博士到功率半导体研究所进行技术指导,曾军博士在功率半导体领域有超过25年的研究和产品开发经验,发明的IGBT阴级整流及高密度全对准沟槽MOS技术,已广泛应用于量产。功率半导体所相关部门负责人及技术人员参加了此次讲座。

  曾军博士针对我院硅基高压大功率IGBT器件产品研发中遇到的问题进行详细讲解,结合经验分享了高压IGBT器件产品的研发过程的关键环节,并在模拟仿真、结构设计、产品特性等方面进行技术指导。在保障器件长期运行可靠性方面,曾军博士提出了采用避免风险的设计方法。功率半导体所技术人员就上述相关内容与曾军博士进行了深入的讨论。

  通过此次讲座,深化了对高压IGBT器件研发过程的了解,拓宽了技术人员解决问题的思路,将助推我院IGBT器件的产品化开发进程。(冷国庆)